SEOUL, Korea – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des branchenweit innovativsten 8-gigabit (Gb) DDR4 Memorys und eines darauf basierenden 32-gigabyte (GB) Moduls begonnen. Beide Speicherlösungen werden in einer neuen Prozesstechnologie mit Halbleitergeometrien von 20nm gefertigt und sind für den Einsatz in Enterprise Servern prädestiniert.
„Unser neues 8Gb DDR4 DRAM in 20nm-Technologie übertrifft die hohen Anforderungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit, Speicherdichte und Energieeffizienz, die die Verbreitung von Enterprise Servern der nächsten Generation vorantreiben“ sagt Jeeho Baek, Vice President of Memory Marketing bei Samsung Electronics. „Durch die Erweiterung der Produktion unseres 20nm DRAM Produktangebots bieten wir High-Density DRAM Produkte der Premium-Klasse an und erfüllen zugleich die steigende Nachfrage von Kunden aus dem Marktsegment ‚Premium Enterprise‘ Lösungen.“
Einschließlich seines neuen 8Gb DDR4 Memory bietet Samsung jetzt ein komplettes Spektrum an 20nm-basierten DRAM Memorys an und führt eine neue Ära hinsichtlich der Effizienz bei 20nm DRAMs an. Dies beinhaltet auch das 20nm 4Gb DDR3 für PCs und das 20nm 6Gb LPDDR3 für Mobilgeräte.
Basierend auf dem neuen 8Gb DDR4 Chip hat Samsung zum Monatsbeginn mit der Produktion des 32GB RDIMM (Registered Dual In-Line Memory Modul) begonnen. Die Datenübertragungsrate pro Pin des neuen Moduls erreicht Werte bis 2.400 Mbit/s. Gegenüber der Bandbreite eines DDR3 Server-Moduls von 1.866 Mbit/s entspricht dies einer Steigerung der Leistungsfähigkeit um etwa 29% Prozent.
Über die 32GB-Module hinaus erlauben die neuen 8Gb-Chips die Produktion von Server-Modulen mit einer maximalen Kapazität von 128GB. Die dabei eingesetzte 3D TSV-Technologie (Through Silicon Via) begünstigt die künftige Expansion des Marktes für High-Density DRAMs.
Das neue High Density DDR4 Memory ist mit verbesserten Fehlerkorrekturfunktionen ausgestattet. Dies erhöht die Speicherzuverlässigkeit von Enterprise Servern. Darüber hinaus arbeiten der neue DDR4-Chip und das neue 32GB-Modul mit 1,2V und somit mit der zurzeit geringst möglichen Spannung.
Quelle: ots
