Seoul, Korea – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Bereich innovative Speichertechnologie, stellt einen hochleistungsfähigen Mobile-Memory-Speicher in Embedded-MultimediaCard-5.0-Technologie (eMMC) vor. Das neue 3bit eMMC NAND Flash Memory verfügt über eine Speicherkapazität von 128Gigabyte (GB) und wurde speziell für die Smartphone- und Tablet-Massenmärkte entwickelt.

 Quellenangabe: "obs/Samsung Semiconductor Europe GmbH"

Quellenangabe: “obs/Samsung Semiconductor Europe GmbH”

“Durch die Markteinführung unseres auf hohen Nutzen fokusierten 3bit NAND-basierten eMMC 5.0-Produktangebots möchten wir die Führungsposition im Bereich Mobile Memory mit hoher Speicherkapazität einnehmen”, sagt Dr. Jung-Bae Lee, Senior Vice President of Memory Product Planning und Application Engineering Team, Samsung Electronics. “Wir arbeiten kontinuierlich am weiteren Ausbau unseres Angebots an Embedded Mobile Memory der nächsten Generation. Mit noch leistungsfähigeren Produkten, die eine noch höhere Speicherdichte aufweisen, möchten wir die Nachfrage der Kunden in der gesamten Mobilgerätebranche erfüllen.”

Während sich bei Smartphone-Spitzenmodellen eine Entwicklung hin zu Geräten mit Speicherkapazitäten von 128GB und auf der Basis von Universal Flash Storage 2.0 (UFS) oder eMMC 5.1 Standards abzeichnet, wird man künftig auch bei Mittelklasse-Smartphones die Speicherkapazität auf 128GB anheben können. Samsungs neues 3bit 128GB eMMC 5.0 Memory beschleunigt diesen Übergang als eMMC-5.0-Lösung mit der branchenweit höchsten Speicherdichte.

Das neue 128GB Memory mit eMMC 5.0 erreicht 260Megabyte/Sekunde (MB/s) beim sequenziellen Lesen von Daten. Dies ist die gleiche Leistungsfähigkeit wie sie auch das MLC NAND-basierte eMMC 5.1 Memory erreicht. Für wahlfreie Lese- und Schreib-Operationen sind bis zu 6.000 IOPS (Input/Output Operations per Second) bzw. 5.000 IOPS spezifiziert. Diese IOPS-Geschwindigkeiten sind ausreichend für die Verarbeitung von High-Definition-Video und für innovative Multitasking-Funktionen. Gegenüber einer typischen externen Speicherkarte sind diese IOPS-Geschwindigkeiten vier bzw. zehn Mal höher.

Mit seinem neuen 3bit-eMMC-5.0-Angebot hat Samsung sein 3-bit NAND Business von SSDs für Rechenzentren, Server und PCs auf den gesamten Memory-Markt ausgedehnt. Samsung wird auch weiterhin den Einsatz von 3bit NAND Flash Memory vorantreiben und zu diesem Zweck noch leistungsstärkere Lösungen mit noch größerem Speichervolumen entwickeln sowie die Wettbewerbsfähigkeit seines Memory Business stärken.

Quelle: ots

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Veröffentlicht von:

Alexandra Rüsche
Alexandra Rüsche
Alexandra Rüsche gehört seit 2009 der Redaktion Mittelstand-Nachrichten an. Sie schreibt als Journalistin über Tourismus, Familienunternehmen, Gesundheitsthemen, sowie Innovationen. Alexandra ist Mitglied im DPV (Deutscher Presse Verband - Verband für Journalisten e.V.). Sie ist über die Mailadresse der Redaktion erreichbar: [email protected]
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