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Samsung Electronics startet Massenproduktion

Seoul, Korea – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des branchenweit ersten 3bit Multi-Level-Cell (MLC) dreidimensionalen (3D) Vertical NAND (V-NAND) Flash-Memory für den Einsatz in Halbleiterlaufwerken (SSDs oder Solid State Drives) begonnen.

“Mit der Erweiterung einer völlig neuen Serie an High-Density SSDs, die sowohl hinsichtlich Leistungsfähigkeit als auch im Hinblick der Nutzung des 3bit V-NAND bei Medien zur Datenspeicherung den Übergang von herkömmlichen Festplatten auf SSDs beschleunigen wird”, sagt Jaesoo Han, Senior Vice President, Memory Sales & Marketing, Samsung Electronics. “Die größere Vielfalt von SSDs wird unsere Produktwettbewerbsfähigkeit erhöhen, während wir unser schnell wachsendes SSD-Geschäft erneut erweitern.”

Quellenangabe: "obs/Samsung Semiconductor Europe GmbH"
Quellenangabe: “obs/Samsung Semiconductor Europe GmbH”

Das 3bit V-NAND ist Samsungs V-NAND Komponente der zweiten Generation. Genutzt werden 32 vertikal gestapelte Zell-Layer pro NAND Memory Chip. Jeder Chip bietet eine Speicherkapazität von 128 gigabit (Gb).

Bei Samsungs V-NAND Chip-Struktur ist jede Zelle mit Charge Trap Flash (CFT) Technologie elektrisch mit einer nicht-leitenden Schicht verbunden. Jedes Zellenarray ist vertikal auf das nächste Array gestapelt, um Chips mit mehreren Milliarden Zellen zu erhalten.

Der Einsatz von 3 bit-per-cell, 32 Layer, vertikal gestapelter Zellenarrays erhöht die Effizienz der Speicherproduktion enorm. Gegenüber Samsungs 10 nanometer (nm) Class* 3bit planar NAND-Flash ermöglicht das neue 3bit V-NAND mehr als die doppelte Wafer-Produktivität.

Samsung hat sein V-NAND (24 Layer Zellen) der ersten Generation im August 2013 vorgestellt. Seine V-NAND (32 Layer) Zellenarray-Struktur der zweiten Generation stellte das Unternehmen im Mai 2014 vor. Mit der Markteinführung von 32 Layer, 3bit V-NAND diesen Monat ist Samsung im Bereich 3D Memory führend und verleiht der Entwicklung von V-NAND Produktionstechnologie neue Dynamik.

Nachdem 2012 erstmals SSDs auf der Basis von 3bit planar NAND Flash produziert wurden, hat Samsung bewiesen, dass es tatsächlich einen Massenmarkt für High-Density 3bit NAND SSDs gibt.

Das industrieweit erste 3bit 3D V-NAND wird die Marktakzeptanz von V-NAND Memory für SSDs, die sich für normale PC-Anwender eignen, beachtlich vergrößern. Außerdem werden die Speicheranforderungen der meisten Server hinsichtlich “High-Endurance” effizient adressiert.

Quelle: ots

Veröffentlicht von:

Alexandra Rüsche
Alexandra Rüsche
Alexandra Rüsche gehört seit 2009 der Redaktion Mittelstand-Nachrichten an. Sie schreibt als Journalistin über Tourismus, Familienunternehmen, Gesundheitsthemen, sowie Innovationen. Alexandra ist Mitglied im DPV (Deutscher Presse Verband - Verband für Journalisten e.V.). Sie ist über die Mailadresse der Redaktion erreichbar: [email protected]
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