Seoul, Korea – Samsung Electronics Co. Ltd., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich innovative Halbleiterlösungen, stellt heute seinen neuen 28 Megapixel (MP) APS-C* CMOS-Bildsensor für Digitalkameras vor. Der Sensor mit der Bezeichnung S5KVB2 befindet sich bereits in der Massenproduktion und kommt in der neuen kompakten Systemkamera NX1 von Samsung zum Einsatz. Gezeigt wird der Bildsensor zusammen mit der NX1 auf der Photokina 2014. Die Messe findet vom 16. bis 21. September 2014 in Köln statt.

Auf der Basis der fortschrittlichen BSI-Pixel-Technologie von Samsung bietet der neue Sensor S5KVB2 eine ausgezeichnete Lichtabsorption. Durch den Einsatz eines Kupferprozesses mit geringer Leistungsaufnahme und Strukturen von 65 nanometer (nm) umgesetzt in “Fine-Design”-Technologie erfüllt dieser neue Bildsensor hohe Anforderungen hinsichtlich Energieeffizienz und rauscharmes, hochwertiges “Imaging” in kompakten Systemkameras der oberen Leistungsklasse.

Quellenangabe: "obs/Samsung Semiconductor Europe GmbH"

Quellenangabe: “obs/Samsung Semiconductor Europe GmbH”

“Um die zunehmende Nachfrage nach Digitalkameras mit High-End Bildsensoren zu erfüllen, haben wir den neuen Bildsensor auf den Markt gebracht. Der Sensor zeichnet sich durch eine höhere Auflösung als bisherige Modelle aus und liefert eine erstklassige Bildqualität. Darüber hinaus ermöglicht er schnellere Aufnahmen bei geringerer Leistungsaufnahme”, sagt Kyushik Hong, Vice President of System LSI Marketing, Samsung Electronics. “Basierend auf unserer Führungsposition bei CMOS-Bildtechnologien werden wir auch in Zukunft die neuen Trends auf dem Markt für Kamerasensoren adressieren.”

Der S5KVB2 ist der industrieweit erste APS-C-Sensor mit Back-Side Illuminated (BSI) Pixel-Technologie. Bei der BSI-Struktur befinden sich die Metallschichten auf der Rückseite der Photodiode, um den Lichtverlust zu reduzieren. Mit BSI-Pixel verbessert sich bei dem neuestem Bildsensor von Samsung die Lichtempfindlichkeit jedes Pixel. Außerdem erhöht sich die Lichtabsorption in Peripheriebereichen um etwa 30 Prozent. Dies alles resultiert in klareren und schärferen Bildern als bei herkömmlichen Front-Side Illumination (FSI) Pixel-basierten Bildsensoren.

Indem man die Lage der Photodiode ändert, wird das Layout der metallischen Verbindungen im Sensor besser optimiert, um eine höhere Geschwindigkeit zu erreichen. Als Resultat bietet der S5KVB2 eine Videoaufzeichnung mit 30 Bilder/Sekunde (fps)** bei Ultra HD Auflösung und ermöglicht somit Kameras mit ultimativer Videoqualität. Zusätzlich kommt bei dem neuen Bildsensor der fortschrittliche 65nm-Kupferprozess mit geringer Leistungsaufnahme von Samsung zum Einsatz. Dieser Prozess hat einen deutlichen Vorsprung vor dem 180nm-Aluminiumprozess, der normalerweise in der Kamerasensorbranche verwendet wird. Basierend auf den feineren ICs und dem Einsatz von Kupfer ermöglicht der 65nm-Kupferprozess, dass die Leistungsaufnahme gegenüber Bildsensoren mit bisheriger Prozesstechnologie wesentlich reduziert werden kann. Als ein Resultat weist der neue Bildsensor S5KVB2 eine geringere Wärmeabstrahlung auf.

Durch den innovativen Fertigungsprozess und das fortschrittliche IC-Design ist der S5KVB2 außerdem wesentlich rauschärmer.

Quelle: ots

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Veröffentlicht von:

Alexandra Rüsche
Alexandra Rüsche
Alexandra Rüsche gehört seit 2009 der Redaktion Mittelstand-Nachrichten an. Sie schreibt als Journalistin über Tourismus, Familienunternehmen, Gesundheitsthemen, sowie Innovationen. Alexandra ist Mitglied im DPV (Deutscher Presse Verband - Verband für Journalisten e.V.). Sie ist über die Mailadresse der Redaktion erreichbar: [email protected]
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